P4NB100, MOS-N-FETe, V-MOS, 1000V, 3.8A, 125W, <4.4Ω(2A), TO-220

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Beschreibung

P4NB100, MOS-N-FETe, V-MOS, 1000V, 3.8A, 125W, <4.4Ω(2A), TO-220

=STP4NB100

Zusätzliche Produktinformationen

Halbleiter, Schaltungen, Ladeelektronik
Transistor,Thyristor,Triac,Halbleiter,NPN,PNP