MJ11032, Si. NPN-Darl-Transistor + Diode, S-L, 120/120V, 50A, 300W, B>1000, TO-3

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Beschreibung

MJ11032, Si. NPN-Darl-Transistor + Diode, S-L, 120/120V, 50A, 300W, B>1000, TO-3

Zusätzliche Produktinformationen

Halbleiter, Schaltungen, Ladeelektronik
Transistor, Thyristor, aktiv, passiv, Bauelemente, Silizium, FET, NPN, PNP,