IRFPC50, MOS-N-FET-e, Transistor, V-MOS, 600V, 11A, 180W, <0.6Ω(6A), TO-3PN

IRFPC50, MOS-N-FET-e, Transistor, V-MOS, 600V, 11A, 180W, <0.6Ω(6A), TO-3PN

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Beschreibung

IRFPC50, MOS-N-FET-e, Transistor, V-MOS, 600V, 11A, 180W, <0.6Ω(6A), TO-3PN

Zusätzliche Produktinformationen

Halbleiter, Schaltungen, Ladeelektronik
Transistor, Thyristor, aktiv, passiv, Bauelemente, Silizium, FET, NPN, PNP,