IRFBE30, MOS-N-FET-e, Transistor, V-MOS, 800V, 4.1A, 125W, <3Ω(2.5A), TO-220

IRFBE30, MOS-N-FET-e, Transistor, V-MOS, 800V, 4.1A, 125W, <3Ω(2.5A), TO-220

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Beschreibung

IRFBE30, MOS-N-FET-e, Transistor, V-MOS, 800V, 4.1A, 125W, <3Ω(2.5A), TO-220

Zusätzliche Produktinformationen

Halbleiter, Schaltungen, Ladeelektronik
Transistor, Thyristor, aktiv, passiv, Bauelemente, Silizium, FET, NPN, PNP,