IRF9630, MOS-P-FET-e, Transistor, V-MOS, 200V, 6.5A, 74W, <0.8Ω(3.9A), TO-220

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Beschreibung

IRF9630, MOS-P-FET-e, Transistor, V-MOS, 200V, 6.5A, 74W, <0.8Ω(3.9A), TO-220

Zusätzliche Produktinformationen

Halbleiter, Schaltungen, Ladeelektronik
Transistor, Thyristor, aktiv, passiv, Bauelemente, Silizium, FET, NPN, PNP,