BS170, MOS-N-FET-e, Transistor, V-MOS, LogL, 60V, 0.3A, 0.63W, <5Ω, TO-92

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Beschreibung

BS170, MOS-N-FET-e, Transistor, V-MOS, LogL, 60V, 0.3A, 0.63W, <5Ω, TO-92

Zusätzliche Produktinformationen

Halbleiter, Schaltungen, Ladeelektronik
Transistor, Thyristor, aktiv, passiv, Bauelemente, Silizium, FET, NPN, PNP,