BD512, MOS-P-FET-e, Transistor, V-MOS, NF-L, 60V, 1.5A, 10W, TO-220

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Beschreibung

BD512, MOS-P-FET-e, Transistor, V-MOS, NF-L, 60V, 1.5A, 10W, TO-220

Zusätzliche Produktinformationen

Halbleiter, Schaltungen, Ladeelektronik
Transistor, Thyristor, aktiv, passiv, Bauelemente, Silizium, FET, NPN, PNP,