41256-10, CMOS,  Dyn. RAM, 256k x 1, 100ns, 16-DIP

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Beschreibung

41256-10, CMOS, Dyn. RAM, 256k x 1, 100ns, 16-DIP

Zusätzliche Produktinformationen

Halbleiter, Schaltungen, Ladeelektronik
IC, Halbleiter, aktive Bauelemente, Fassungen, Sockel